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CdZnTe晶片
• 直接转换-真正的半导体
在转换过程中直接进行电荷转换、无需光电倍增管。
• 高密度、高原子量
密度为5.78g/cm3，混合原子量为48，具有高的吸收效率。
• 高能量分辨率
241Am源：5%FWHM；57Co源：4%FWHM；137Cs源：2%FWHM
• 大能量探测范围
温度范围：-30℃ - +20℃；能量范围：5KeV - 1MeV。
• 受温度变化影响小
温度每变化10℃时，光峰变化仅为1%。
• 高速探测
成型时间短，脉冲模式下频率可达2MHz，电流模式下频率可达1GHz。
• 耐用、适用性广
适于各种封装形式应用，耐冲击。
• 规格多样化
从2x2x0.5mm3到15x15x15mm3，提供不同尺寸的CdZnTe材料，适应不同的需要。
• 无潮解、化学性质稳定
• 适用温度范围广（-30℃
- +70℃）
• 分离式探测器和复合像素整合阵列
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产品规格（单位：mm3）
3x3x2；3x3x3；5x5x2；5x5x3；5x5x5；10x10x2；10x10x3；10x10x5
eV Products公司还可以根据用户要求设计、加工各种规格的产品。 |
技术参数
| 类型 |
测量能量 |
峰谷比 |
能量分辨率 |
| 选择计数器级（SC） |
59.5KeV |
＞4：1 |
＜10% |
| 甄别器级（D） |
59.5KeV |
＞8：1 |
＜8% |
| 122.1KeV |
＞3：1 |
＜5% |
| 选择甄别器级（SD） |
59.5KeV |
＞8：1 |
＜8% |
| 122.1KeV |
＞3：1 |
＜5% |
| 能谱级（S） |
59.5KeV |
＞8：1 |
＜7% |
| 122.1KeV |
＞4：1 |
＜5% |
| 622KeV |
＞3：1 |
＜2% |
表中数据用10x10x2mm3的探测器测得，其他尺寸探测器结果会因尺寸而不同。
测量电压为100 - 300V/mm，成形时间为0.5μs，计数率小于5kcps。 |
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eV-080
eV-080是所有eV Products产品中最简单的组装类型。它包括一个Al2O3基片和一个CdZnTe探测器晶体，可以置于屏蔽封装内。eV-080的外观设计弹性大，能达到尽可能小的体积要求。标准尺寸的eV-180可以与eV Products产品家族中的混合前置放大器以及eV Products独有的ASIC多通道信号读出集成电路芯片设计配套使用。
eV-180
eV-080直接将BNC插座封装在探测器的背面。它被设计用来直接插在任何eV
Products标准电荷前置放大器上 使用。它的外包装为1.25'
OD或0.5' OD，具体大小视探测器晶体大小而定。
eV-280
在eV-280中直接将混合前置放大器连接到CdZnTe探测器上。这样，探测器可以直接连到成型放大器。即将投入使用的探测器提供了最佳的测试结果。eV-280的标准封装尺寸为1.5'
OD或1.03' OD，根据探测器晶体尺寸的不同，它的最小长度为1.5' OD。
定做探测器
CdZnTe探测器可以封装成以上所提的几种标准类型，也可以定做封装。CdZnTe探测器可以制成复合、分离、整体或者像素阵列探测器。多通道结构适于与eV
Products设计生产的ASIC多通道信号读出芯片配套使用。标准ASIC芯片设计有1通道、4通道、8通道、16通道。
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